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半导体静电放电发生器

半导体静电放电发生器(型号:ESD-606G)专门为半导体器件抗静电测试(HBM人体模式和MM机械模式)而设计,通过阻容放电模块输出波形,来满足标准 MIL-STD-883E  METHOD3015.7、EIAJED-4701Condition B、EIAJED-470…

  • 技术参数
  • 应用指南

技术特点:
● 超大液晶显示,智能控制高压输出,体积小,重量轻,操作方便;
● 内置温湿度传感器,及时记录现场试验环境;
● 电子式高压电源,电压稳定精度高;
● 内置单片机控制,稳定可靠,操作方便;
● 正负极性自动切换;
● 进口放电模块,分离设计,确保输出波形稳定性和可靠性。

主要技术参数 Specifications

项  目    ANSI/ESD STM5.1      EIA/JESD 22-A114-B(HBM)
   ANSI/ESD STM5.2      EIA/JESD 22-A115-A(MM)
输出电压    0—8kV±5%
输出电压极性    正/负
放电电容    100pF±5%
   200pF±5%
放电电阻    1.5kΩ
   0 Ω
工作形式    单次
   计数
放电次数设定    1~9999
放电间隔    0.1~9.9s